一种鼓槌石斛培养基质与制备方法

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本发明公开一种鼓槌石斛培养基质，由30‑70％体积比的锯末和余量的松树树皮组成，所述松树树皮的粒径范围为4‑8cm。本发明同时还提供该鼓槌石斛培养基质的制备方法。该鼓槌石斛培养基质透气性佳、补水保湿保肥能力强，该制备方法可以使该鼓槌石斛培养基质抵抗大部分的有病虫害，以及提供较佳的供鼓槌石斛生长所需的肥料成分。

1.一种鼓槌石斛培养基质，其特征在于，由30-70％体积比的锯末和余量的松树树皮组成，所述松树树皮的粒径范围为4-8cm。 2.一种制备如权利要求1所述的鼓槌石斛培养基质的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将锯末与松树树皮混合均匀，置于消毒剂溶液中浸胀；2)将步骤1)的物料过滤，浸入杀虫剂溶液中浸泡；3)向步骤2)得到的物料中加入生石灰进行堆积发酵15-30天；4)向步骤3)得到的物料加入复合肥进行堆积发酵15-30天，得到鼓槌石斛培养基质。 3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1)中，消毒剂溶液中的消毒剂为多菌灵、百菌清、代森锰锌和氯霉素中的一种或两种以上。 4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤1)中，消毒剂为多菌灵和氯霉素，其中多菌灵的浓度为3-5wt％，所述氯霉素的浓度为0.2-0.5％。浸胀时间为12-64h。 5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述杀虫剂为灭虫灵、辛硫磷和氧化乐果中的一种或两种以上。 6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述杀虫剂溶液包括辛硫磷和氧化乐果，辛硫磷的浓度为0.2-0.5wt％，氧化乐果的浓度为0.1-0.2wt％。 7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述杀虫剂溶液中含有1-5vt％的食用醋。 8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤3)中，生石灰的加入量为0.2-0.5vt％。 9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤4)中，复合肥中N：P：K的重量比为(4-6)：(0.5-0.8):1，复合肥的加入量为0.1-1vt％。

技术领域

本发明涉及一种鼓槌石斛培养基质与制备方法，于种植育苗领域。

背景技术

鼓槌石斛(学名：Dendrobium chrysotoxum Lindl.)，兰科石斛属多年生附生草本植物。其理想生长地为海拔520-1620米、阳光充足的常绿阔叶林中树干上或疏林下岩石上。分布于中国如云南南部至西部石屏、景谷、思茅、勐腊、景洪、耿马、镇康、沧源，以及印度东北部、缅甸、泰国、老挝、越南。

鼓槌石斛有它独特的药用价值，它的中药材呈粗纺锤形中部直径1-3厘米，具3-7节，表面光滑，金黄色，有明显凸起的棱。质轻而松脆，断面海绵状。气微，味淡，嚼之有黏性。它的茎可养阴生津，止渴，润肺。用于热病伤津，口干烦渴，病后虚热。鼓槌石斛花生于茎的顶部。花期有叶，总状花序顶生，稍弯曲下垂，上面有花10余朵，黄色花十分醒目，花径4.5cm左右，唇瓣黄色，近圆形，上面有红色条纹，长约2cm、宽2.3cm，顶端微凹，边缘具有流苏，上面密布柔毛，十分美丽。鼓槌石斛花属于美容、补血、安神、解郁、明目、抗癌、降三高的珍品。花期在3-5月，果期9-11月。

目前市场上流通的都是野生鼓槌石斛，有大部分种植户用野生鼓槌石斛种植，但是种植基质材料问题出现种植的鼓槌石斛长势较差，两年过后大部分出现假死现象，应该通过人工引种驯化和繁殖方法扩大资源。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的第一个目的在于提供一种克服种植过程中鼓槌石斛长势不好或假死状态的鼓槌石斛培养基质。

本发明的第二个目的是为了提供该种鼓槌石斛培养基质的制备方法。

实现本发明的目的之一可以通过采取如下技术方案达到：

一种鼓槌石斛培养基质，由30-70％体积比的锯末和余量的松树树皮组成，所述松树树皮的粒径范围为4-8cm。

实现本发明的目的之二可以通过采取如下技术方案达到：

一种制备上述的鼓槌石斛培养基质的方法，包括以下步骤：

1)将锯末与松树树皮混合均匀，置于消毒剂溶液中浸胀；

2)将步骤1)的物料过滤，浸入杀虫剂溶液中浸泡；

3)向步骤2)得到的物料中加入生石灰进行堆积发酵15-30天；

4)向步骤3)得到的物料加入复合肥进行堆积发酵15-30天，得到鼓槌石斛培养基质。

进一步地，步骤1)中，消毒剂溶液中的消毒剂为多菌灵、百菌清、代森锰锌和氯霉素中的一种或两种以上。

进一步地，步骤1)中，消毒剂为多菌灵和氯霉素，其中多菌灵的浓度为3-5wt％，所述氯霉素的浓度为0.2-0.5％，浸胀时间为12-64h。

进一步地，步骤2)中，所述杀虫剂为灭虫灵、辛硫磷和氧化乐果中的一种或两种以上。

进一步地，步骤2)中，所述杀虫剂溶液包括辛硫磷和氧化乐果，辛硫磷的浓度为0.2-0.5wt％，所述氧化乐果的浓度为0.1-0.2wt％。

进一步地，所述杀虫剂溶液中含有1-5vt％的食用醋。

进一步地，步骤3)中，生石灰的加入量为0.2-0.5vt％。

进一步地，步骤4)中，复合肥中N：P：K的重量比为(4-6)：(0.5-0.8):1，复合肥的加入量为0.1-1vt％。

相比现有技术，本发明的有益效果在于：

本发明提供的鼓槌石斛培养基质，是根据鼓槌石斛的植株特点，即鼓槌石斛地上部分较重、都属气生根，选择承重能力较佳的锯末配合透气、保湿和保肥作用佳的松树树皮相复配形成培养基质。锯末和松树树皮按照上述的粒径与该体积比关系，得到的基质，透气性佳。

具体实施方式

下面，结合具体实施方式，对本发明做进一步描述：

本发明提供一种鼓槌石斛培养基质，由30-70％体积比的锯末和余量的松树树皮组成，所述松树树皮的粒径范围为4-8cm。

该鼓槌石斛培养基质是根据鼓槌石斛地上部分较重、其根的生长需要在透气性较佳的环境中的生长特点，选择了合适粒径的锯末作为支撑主体，以及合适粒径的松树树皮作为保水保肥主体，以得到一种透气性最好，保水、保肥、保湿很好的鼓槌石斛培养基质。

实施例1-10由下表所述的成分、比例混合的基质，其中，锯末的粒径范围为1-3mm、松树树皮的粒径范围为5-8cm、木屑的宽度范围为5-15cm，椰丝的长度范围为15-25mm。

实施例1的基质为刨花；实施例2的基质为松树树皮；实施例3的基质为红砖粒；实施例4的基质为锯末；实施例5的基质为50vt％刨花+50vt％松树树皮；实施例6的基质为30vt％刨花+70vt％松树树皮；实施例7的基质为70vt％刨花+30vt％松树树皮；实施例8的基质为50vt％锯末+50vt％松树树皮；实施例9的基质为30vt％锯末+70vt％松树树皮；实施例10的基质为70vt％锯末+30vt％松树树皮。

实施例1-10的基质的制备方法如下所示：

1)将基质置于消毒剂溶液中浸胀24h；该消毒剂为多菌灵和氯霉素的混合溶液，其中多菌灵的浓度为4wt％，所述氯霉素的浓度为0.3％；该消毒剂能防治大部分石斛易感的病害；

2)将步骤1)的物料过滤，浸入杀虫剂溶液中浸泡；该杀虫剂溶液为辛硫磷和氧化乐果的混合溶液，辛硫磷的浓度为0.4wt％，氧化乐果的浓度为0.15wt％，且含有1-5vt％的食用醋；该步骤中，通过两种杀虫剂，可有效地防治石斛常见虫害；

3)向步骤2)得到的物料中加入0.4vt％生石灰进行堆积发酵23天；

4)向步骤3)得到的物料加入0.5vt％的复合肥进行堆积发酵23天，得到鼓槌石斛培养基质；复合肥中N：P：K的重量比为5:0.6:1。

性能检测与效果评价

将实施例1-10得到的基质，把处理好的基质均匀地铺在苗床架上，厚度在10-15cm；将处理好的野生鼓槌石斛成苗按行株距进行种植，石斛根系放置基质里，种植深度以基质刚好和根茎连接点即可。

1.主要营养的测定

植物通过代谢过程合成有机物，进行存储或呼吸作用，植物体内营养物质的积累成分反应出植物自生营养成分的均衡及生长发育状况。培养30天后，取整颗植株，进行打浆破碎，测定氮磷钾的含量，结果如下表所示：

编号 N P K 实施例1 4.22 0.54 0.061 实施例2 4.75 0.59 1.316 实施例3 5.67 0.67 0.816 实施例4 10.27 0.72 0.854 实施例5 4.64 0.70 1.318 实施例6 5.56 0.51 0.824 实施例7 5.34 0.63 0.867 实施例8 7.53 0.57 0.827 实施例9 6.31 0.56 0.882 实施例10 4.53 0.51 0.935

由上表可知，实施例9培养的植物，氮磷钾比较适中。

2.形状指标评价

鼓槌石斛从7-9月的相对生长量几乎是5-7月相对生长量的一倍，说明鼓槌石斛的长势在不同的生长季相差不大，在实施例8-10的基质即复合基质锯末：松树皮的组合中表现均良好。鼓槌石斛的相对生长量在实施例9中最高，在实施例1中最差，相差最大可达2倍，鼓槌石斛在复合基质中要比单一基质中表现要好，其中锯木：松树树皮的组合表现更好，且V(锯木)：V(松树树皮)＝30:70的配比表现最好。

3.物理性质测定

固体基质不仅对植物起到固定作用，而且可以对植物提供生长发育所需的营养物质。基质的孔隙和大小孔隙比，吸水量。化学性质主要酸碱性、阳离子交换量。

孔隙率％ pH值 实施例1 81 6.8 实施例2 84 6.7 实施例3 43 6.2 实施例4 79 6.8 实施例5 85 6.2 实施例6 82 6.2 实施例7 84 6.3 实施例8 87 6.1 实施例9 89 6.2 实施例10 89 6.2

由上表可知，相对于单基质，本发明提供的由锯末和松树皮组成的鼓槌石斛培养基质具有较适宜的pH值和较佳的孔隙率。

对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。

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